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机译:用于中红外半导体二极管激光器的Gasb上的稀氮化物活性区域
Hari P. Nair; Adam M. Crook; Seth R. Bank;
机译:基于GaSb的中红外带间级联激光器有源区的II型量子阱中的载流子损耗机制
机译:中红外GaSb基半导体激光器的温度敏感性机理
机译:无铝有源区高功率半导体二极管激光器镜面的新型钝化工艺
机译:GaSb上的稀氮化物有源区,用于中红外半导体二极管激光器
机译:利用级联泵浦方案的基于GaSb的中红外I型量子阱二极管激光器
机译:温度稳定的中红外GaInAsSb / GaSb垂直腔表面发射激光器(VCSEL)
机译:新型900nm二极管激光器,具有外延堆叠多个有源区和隧道结
机译:GaSb包覆的中红外半导体激光器
机译:GASB涂层中红外半导体激光
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